PROPERTIES OF THE MOST IMPORTANT SEMICONDUCTORS
DOI:
https://doi.org/10.31150/ajshr.v3i7.1377Keywords:
silicon (Si), germanium (Ge), gallium phosphide (GAP), gallium arsenide (GAAS),, indium phosphide (INP), indium antimonide (INSB)Abstract
The article examines the properties of semiconductors, the history of the creation of semiconductors and the semiconductors widely used in the field of technology are covered in detail.
References
M.Ismoilov ,P .Xabibullayev , M. Xaulin. “ Fizika kursi”. Toshkent, O’zbekiston, 2000-y.
Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kamanov, B. M., & Turaev, A. A. (2013). Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 86(1), 248-254.
Karimov, A. V., Dzhuraev, D. P., Kuliev, S. M., & Turaev, A. A. (2016). Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 89(2), 514-517.
Файзиев, Ш. Ш., Саидов, К. С., & Аскаров, М. А. У. (2020). Зависимость магнитно модулированной структуры от ориентации поля в кристалле FeBO3: Mg. Вестник науки и образования, (18-2 (96)), 6-9.
Очилов, Л. И., Арабов, Ж. О., & Ашурова, У. Д. (2020). Измерение преобразования потенциальной энергии в поступательную и вращательную энергию с помощью колеса максвелла. Вестник науки и образования, (18-2 (96)), 18-22.
Очилов, Л. И. (2016). Технология приготовления фитиля из капиллярно-полых материалов. Молодой ученый, (12), 360-362.
Qo‘yliyev B.T. Tabiatning fizik xossalari bitmas-tuganmasdir. Qarshi, 2005 y.
Nigmatov K. Radioelektronika asoslari. T., 1994 y.
Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2020). Features of key parameters of field transistors. Scientific reports of Bukhara State University, 3(2), 7-10.
Каримов, А. В., Джураев, Д. Р., Ёдгорова, Д. М., Рахматов, А. З., Абдулхаев, О. А., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2011). Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Djuraev, D. R., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2019). The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 1(1), 2.
Karimov, A. V., Djuraev, D. R., Abdulhaev, O. A., Rahmatov, A. Z., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2016). Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN, 2278-7461.
Rajabov N. CURRENT STATUS AND DEVELOPMENT PROSPECTS OF ENVIRONMENTAL REGULATORY SYSTEM (HISTORICAL AND LEGAL ANALYSIS) //Review of law sciences. – 2020. – Т. 4. – №. 2. – С. 133-139.
Karimov, A. V., Dzhuraev, D. R., Edgorova, D. M., Rahmatov, A. Z., Abdulhaev, O. A., Kamanov, B. M., & Turaev, A. A. (2011). Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore. Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature, (1-2), 90.
Rahmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Karimov, A. V., & Yodgorova, D. M. (2013). Features of the performance of a transient voltage suppressor in the pulsed mode. Semiconductors, 47(3), 387-391.
Абдулхаев, О. А., Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2013). Особенности температурных свойств полевого транзистора в режиме ограничения токов. Инженерно-физический журнал, 86(1), 232-237.
Файзиев, Ш. Ш., Саидов, К. С., & Низомова, Ш. К. К. (2020). Электронная структура основного мультиплета иона диспрозия в ортоалюминате. Academy, (11 (62)), 4-6.
Б . М. Я в о р с к и й , А.А.Д е т л а ф. «К у р с фи з и к и » I-III т о м. М: “В ыcшaя шkо л а ” 1994 г
Sharifbaevich, R. N. (2022). Digitalization of Environmental Regulation: Legal Aspects. American Journal of Social and Humanitarian Research, 3(6), 374–380. Retrieved from https://www.grnjournals.us/index.php/ajshr/article/view/1263
Teshaboev A, Zaynobiddinov S, va boshq. Yarimo`tkazgich asboblar fizikasi. Toshkent. 2005 y.
Abdulkhaev, O. A., Asanova, G. O., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2011). The optical signal transfer and reception modules via atmosphere.
Rakhmatov, A. Z., Kamanov, B. M., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2010). Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter.
Rakhmatov, A. Z., Kamanov, B. M., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2010). Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka.
Rakhmatov, A. Z., Kamanov, B. M., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2010). Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka.
Turaev, A. A., & KS, S. (2016). Dinamik yuklamali sxemada maydoniy tranzistorning kuchaytirish xossalari. Buxoro davlat universiteti ilmiy axboroti, 4(64), 31-35.
Abdulkhayev, O. A., Dzhurayev, D. R., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Rakhmatov, A. Z., & Turaev, A. A. (2016). Physico-technological aspects multifunctional sensor on field- effect transistor. New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects, 10-11.
Abdulkhaev, O. A., Asanova, G. O., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2011). The optical signal transfer and reception modules via atmosphere.
Rakhmatov, A. Z., Kamanov, B. M., Dzhuraev, D. R., & Turaev, A. A. (2010). Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka.
Juraev, D. R., Nazarova, M., & Turaev, A. (2010). The atmospheric optical communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo pokoleniya
